政策标準
半導體無塵室安全工作規範
半導體,光(guāng)罩對(duì)準機,氮氣鋼瓶
一、無塵室須知
1. 進入無塵室前，必須知會管理(lǐ)人(rén)，并通(tōng)過基本訓練。
2. 進入無塵室嚴禁吸煙(yān)，吃(chī)(飲)食，外來(lái)雜(zá)物(wù)(如報章(zhāng)，雜(zá)志，鉛筆...等)不可(kě)攜入，并嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進入無塵室前，需在規定之處所脫鞋，将鞋置于鞋櫃内，外衣置于衣櫃内，私人(rén)物(wù)品置于私人(rén)櫃内，櫃内不可(kě)放置食物(wù)。
4. 進入無塵室須先在更衣室，将口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地闆上)方得(de)進入。
5. 戴口罩時(shí)，應将口罩戴在鼻子之上，以将口鼻孔蓋住爲原則，以免呼吸時(shí)污染芯片。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應先整理(lǐ)服裝以及頭發，以免著(zhe)上無塵衣後，不得(de)整理(lǐ)又感不适。
7. 整肅儀容後，先戴無塵帽，無塵帽的(de)穿戴原則系:
(1)頭發必須完全覆蓋在帽内，不得(de)外露。
(2)無塵帽之下(xià)擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣後，方不緻下(xià)擺脫出，裸露肩頸部。
8. 無塵帽戴妥後，再著(zhe)無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不緻有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時(shí)應注意帽之下(xià)擺應保平整之狀态，無塵衣不可(kě)反穿。
9. 穿著無塵衣後，才著(zhe)鞋套，拉上鞋套并将鞋套整平，确實蓋在褲管之上。
10. 戴手套時(shí)應避免以光(guāng)手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套後，應将手套之手腕置于衣袖内，以隔絕污染源。
11. 無塵衣著(zhe)妥後，經洗塵，并踩踏除塵毯，方得(de)進入無塵室。
12. 不論進入或離開無塵室，須按規定在更衣室脫無塵衣，不可(kě)在其它區(qū)域爲之，尤不可(kě)在無塵室内邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時(shí)，應即換新。
14. 脫下(xià)無塵衣時(shí)，其順序與穿著時(shí)相反。
15. 脫下(xià)之無塵衣應吊好，并放于更衣室内上層櫃子中;鞋套應放置于吊好的(de)無塵衣下(xià)方。
16. 更衣室内小櫃中，除了(le)放置無塵衣等規定物(wù)品外，不得(de)放置其它物(wù)品。
17. 除規定紙張及物(wù)品外，其它物(wù)品一概不得(de)攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得(de)攜出無塵室，用(yòng)畢放置于規定處所。
19. 口罩與手套可(kě)視狀況自行保管或重複使用(yòng)。
20. 任何東西進入無塵室，必須用(yòng)灑精擦拭幹淨。
21. 任何設備的(de)進入，請知會管理(lǐ)人(rén)，在無塵室外擦拭幹淨，方可(kě)進入。
22. 未通(tōng)過考核之儀器，禁止使用(yòng)，若遇緊急情況，得(de)依緊急處理(lǐ)步驟作适當處理(lǐ)，例如關閉水(shuǐ)、電、氣體等開關。
23. 無塵室内絕對(duì)不可(kě)動火，以免發生意外。
二、無塵室操作須知
1. 處理(lǐ)芯片時(shí)，必須戴上無纖維手套，使用(yòng)清洗過的(de)幹淨鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的(de)芯片須經清洗，方得(de)繼續使用(yòng)：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用(yòng)紙巾或布擦拭髒鑷子。
(2) 芯片清洗後進行下(xià)一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3) 把芯片放置于石英舟上，準備進爐管時(shí)，若發現所用(yòng)鑷子有污損現象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的(de)污染，必須将芯片重新清洗，并立即更換幹淨的(de)鑷子使用(yòng)。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來(lái)存放于規定位置，盡可(kě)能不讓它暴露。
3. 避免在芯片上談話(huà)，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進擴散爐前，請特别注意，防止上述動作産生，若芯片上沾有纖維屑時(shí)，用(yòng)氮氣槍噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(Quartz Boat)等載具(Carrier)上，取出芯片時(shí)，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭确已離芯片，方可(kě)從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長(cháng)上氧化(huà)層，在送黃(huáng)光(guāng)室前切勿用(yòng)鑽石刀(dāo)在芯片上刻記。
6. 操作時(shí)，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水(shuǐ)槽。
7. 使用(yòng)化(huà)學站或烤箱處理(lǐ)芯片時(shí)，務必将芯片置放于鐵弗龍晶舟内，不可(kě)使用(yòng)塑料盒。
8. 擺置芯片于石英舟時(shí)，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然後再進氧化(huà)爐。
9. 請勿觸摸芯片盒内部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜(zá)碎東西，請勿留置于操作台，手套若燒焦、磨破或纖維質變多(duō)必須換新。
11. 非經指示，絕不可(kě)開啓不熟悉的(de)儀器及各種開關閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的(de)味道或反應異常的(de)溶液，顔色，聲響等請即通(tōng)知相關人(rén)員(yuán)。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時(shí)，務必立刻告知負責人(rén)員(yuán)或老師。
14. 芯片盒進出無塵室須保持幹淨，并以保鮮膜封裝，違者不得(de)進入。
15. 無塵室内一律使用(yòng)原子筆及無塵筆記本做(zuò)記錄，一般紙張與鉛筆不得(de)攜入。
三、黃(huáng)光(guāng)區(qū)操作須知
1. 濕度及溫度會影(yǐng)響對(duì)準工作，在黃(huáng)光(guāng)區(qū)應注意溫度及濕度，并應減少對(duì)準機附近的(de)人(rén)，以減少濕、溫度的(de)變化(huà)。
2. 上妥光(guāng)阻尚未曝光(guāng)完成之芯片，不得(de)攜出黃(huáng)光(guāng)區(qū)以免感光(guāng)。
3. 己上妥光(guāng)阻，而在等待對(duì)準曝光(guāng)之芯片，應放置于不透明(míng)之藍黑(hēi)色晶盒之内， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光(guāng)罩使用(yòng)時(shí)應持取邊緣，不得(de)觸及光(guāng)罩面，任何狀況之下(xià)，光(guāng)罩鉻膜不得(de)與他(tā)物(wù)接觸，以防刮傷，光(guāng)罩之落塵可(kě)以氮氣槍吹之。
5. 曝光(guāng)時(shí)，應避免用(yòng)眼睛直視曝光(guāng)機汞燈。
四、鑷子使用(yòng)須知
1. 進入實驗室後，應先戴上手套後，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用(yòng)幹淨的(de)鑷子，才可(kě)持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可(kě)再使用(yòng)。
3. 鑷子使用(yòng)後，應放于各站規定處，不可(kě)任意放置，如有特殊制程用(yòng)鑷子，使用(yòng)後應自行保管，不可(kě)和(hé)實驗室内各站之鑷子混合使用(yòng)。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時(shí)，順序應由後向前挾取，放回芯片時(shí)，則由前向後放回，以免刮傷芯片表面。
6. 挾取芯片時(shí)，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長(cháng)邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分(fēn)，不可(kě)傷及芯片。
7. 嚴禁将鑷子接觸酸槽或D.I Water水(shuǐ)槽中。
8. 鑷子僅可(kě)做(zuò)爲挾取芯片用(yòng)，不準做(zuò)其它用(yòng)途。
五、化(huà)學藥品使用(yòng)須知
1. 化(huà)學藥品的(de)進出須登記，并知會管理(lǐ)人(rén)，并附上物(wù)質安全資料表（MSDS）于實驗室門口。
2. 使用(yòng)化(huà)學藥品前，請詳讀物(wù)質安全資料表(MSDS)，并告知管理(lǐ)人(rén)。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長(cháng)袖手套，頭戴護鏡，腳著(zhe)塑料防酸鞋，始可(kě)進行換酸工作。
4. 不得(de)任意打開酸瓶的(de)蓋子，使用(yòng)後立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時(shí)，千萬記得(de)加酸于水(shuǐ)，絕不可(kě)加水(shuǐ)于酸。
6. 勿嘗任何化(huà)學藥品或以嗅覺來(lái)确定容器内之藥品。
7. 不明(míng)容器内爲何種藥品時(shí)，切勿搖動或倒置該容器。
8. 所有化(huà)學藥品之作業均須在通(tōng)風良好或排氣之處爲之。
9. 操作各項酸液時(shí)須詳讀各操作規範。
10. 酸類可(kě)與堿類共同存于有抽風設備的(de)儲櫃，但絕不可(kě)與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可(kě)任意傾倒，更不可(kě)與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶内，不可(kě)任意傾倒或倒入廢酸桶内。
13. 勿任意更換容器内溶液。
14. 欲自行攜入之溶液請事先告知經許可(kě)後方可(kě)攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時(shí)，必須經評估後方可(kě)攜入，并請于容器上清楚标明(míng)容器内容物(wù)及保存期限。
15. 廢液處理(lǐ)：廢液分(fēn)酸、堿、氫氟酸、有機、等，分(fēn)開處理(lǐ)并登記，回收桶标示清楚，廢液桶内含氫氟酸等酸堿，絕對(duì)不可(kě)用(yòng)手觸碰。
16. 漏水(shuǐ)或漏酸處理(lǐ)：漏水(shuǐ)或漏酸時(shí)，爲确保安全，絕對(duì)不可(kě)用(yòng)手觸碰，先将電源總開關與相關閥門關閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理(lǐ)之，并報備管理(lǐ)人(rén)。
六、化(huà)學工作站操作
1. 操作時(shí)須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2. 不可(kě)将塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3. 添加任何溶液前，務必事先确認容器内溶劑方可(kě)添加。
4. 在化(huà)學工作站工作時(shí)應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化(huà)學槽及清洗槽之上方，一方面可(kě)防止危險發生，另一方面亦減少污染機會。
5. 化(huà)學站不操作時(shí)，有蓋者應随時(shí)将蓋蓋妥，清洗水(shuǐ)槽之水(shuǐ)開關關上。
6. 化(huà)學藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時(shí)，應即用(yòng)水(shuǐ)沖洗濺傷部位15分(fēn)鐘(zhōng)以 上，且必須皮膚顔色恢複正常爲止，并立刻安排急救處理(lǐ)。
7. 化(huà)學品外洩時(shí)應迅速反應，并做(zuò)适當處理(lǐ)，若有需要撤離時(shí)應依指示撤離。
8. 各化(huà)學工作站上使用(yòng)之橡皮手套，避免觸碰各機台及工作台，及其它器具等物(wù)，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1. DI Water 5min
2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3. DI Water 5min
4. HF:H2O 10~30sec，去自然氧化(huà)層(Native Oxide)
5. DI Water 5min
6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7. DI Water 5min
8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9. DI Water 5min
10. Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水(shuǐ)則先倒水(shuǐ)﹐H2O2最後倒﹐數字比爲體積比。
2. 有機與酸堿絕對(duì)不可(kě)混合﹐操作平台也(yě)務必分(fēn)開使用(yòng)。
3. 酸堿溶液等冷(lěng)卻後倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水(shuǐ)清洗後﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分(fēn)開置于室外回收筒。
5. 氫氟酸會腐蝕骨頭﹐若碰到立即用(yòng)葡萄酸鈣加水(shuǐ)塗抹，再用(yòng)清水(shuǐ)沖洗幹淨，并就醫。碰到其它酸堿則立即以DI Water大(dà)量沖洗。
6. 清洗後之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡易清洗步驟爲1-2-9-10；清洗SiO2步驟爲1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光(guāng)阻步驟爲1-2-10，或浸入ACE中以超音(yīn)波振蕩。
9. 每個(gè)玻璃杯或槽都有特定要裝的(de)溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分(fēn)酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分(fēn)開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物(wù)兼容性表，确定無誤再傾倒。
無塵室系統
使用(yòng)操作方法
1. 首先打開控制器面闆上的(de)【電熱(rè)運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可(kě)由黃(huáng)色鈕調整，一般溫度控制爲20℃ DB ，濕度控制爲50% RH。
＊ 左側的(de)控制器面闆上電壓切換開關爲【RU】，電流切換開關爲【T】。右側的(de)控制器面闆上電壓切換開關爲【RS】，電流切換開關爲【OFF】。
2. 将箱型空氣調節機的(de)送風關關打開，等送風穩定後再将冷(lěng)氣暖氣開關打開，此時(shí)紅色燈會亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷(lěng)氣的(de)起動順序爲壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節爲指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分(fēn)流開關AIR VALVE 爲【ON】。
3. 無塵室使用(yòng)完畢後，要先将箱型空氣調節機關閉，按【停止】鍵即可(kě)。
4. 再将控制器面闆上的(de)【電熱(rè)運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關依序關閉。
氣體鋼瓶
使用(yòng)操作方法
1. 用(yòng)把手逆時(shí)針打開氣體鋼瓶到底，将【OUTLET】打開PURGE關閉。
2. 由黑(hēi)色轉鈕調整氣體鋼瓶的(de)壓力(psi)，順時(shí)針方向爲增加，逆時(shí)針方向爲減少。
3. 将N2鋼瓶調整爲40psi（黃(huáng)光(guāng)室内爲20psi）,AIR鋼瓶調整爲80psi（黃(huáng)光(guāng)室内爲60psi）。
4. 氣體鋼瓶使用(yòng)完畢後，用(yòng)把手順時(shí)針關閉氣體鋼瓶到底，将【OUTLET】關閉【PURGE】打開将管路内的(de)氣體排出後将【PURGE】關閉。
純水(shuǐ)系統
使用(yòng)操作方法
1. 閥門控制
(1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。
(2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關。
(3) 閥門V9、V20爲調壓作用(yòng)，不可(kě)全開或全關。
(4) 閥門中V5爲砂濾機之BY-PASS，V15爲U.V燈之BY-PASS，V18爲DI桶之BY-PASS，V21爲RO膜之BY-PASS。
2. 自動造水(shuǐ)
步驟1：如上【閥門控制】将各球閥門開關定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關保持在【OFF】位置。
步驟3：将控制箱上【系統運轉】開關切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做(zuò)初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水(shuǐ)。
步驟6：此時(shí)，PUMP1、PUMP2依序激活，系統正常造水(shuǐ)，RO産水(shuǐ)經管路進入儲水(shuǐ)桶(TANK)，當水(shuǐ)滿後控制箱上高(gāo)液位指示燈亮，系統自動停機，并于儲水(shuǐ)桶水(shuǐ)位下(xià)降至低液位時(shí)再激活造水(shuǐ)。
3. 系統用(yòng)水(shuǐ)
将控制箱上之【夜間循環-停-用(yòng)水(shuǐ)】切換開關切換至【用(yòng)水(shuǐ)】，此時(shí)PUMP3輸送泵浦激活，TANK内之純水(shuǐ)經幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾後，供現場(chǎng)各使用(yòng)點使用(yòng)。
4. 夜間循環
控制箱上之【夜間循環-停-用(yòng)水(shuǐ)】切換開關，主要在配合每日下(xià)班或連續假日停止供水(shuǐ)後管路之衛生考慮，其步驟爲:
(1) 停止供水(shuǐ)59分(fēn)鐘(zhōng)後，系統再自動供水(shuǐ)1分(fēn)鐘(zhōng)。
(2) 此後每隔59分(fēn)鐘(zhōng)供水(shuǐ)循環1分(fēn)鐘(zhōng)至夜間循環【停】爲止。
5. 系統偵測
本系統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作爲系統運轉之控制，其功能如下(xià):
壓力表1：砂濾機進水(shuǐ)壓力
壓力表2：RO進水(shuǐ)壓力
壓力表3：RO排水(shuǐ)壓力
壓力表4：DI進水(shuǐ)壓力
壓力表5：供水(shuǐ)回流壓
流量計1：RO排水(shuǐ)流量
流量計2：RO産水(shuǐ)流量
另外，控制箱(機房(fáng))附有二段式LED導電度顯示屏，原水(shuǐ)及産水(shuǐ)分(fēn)别切換顯示。
6. 系統維護
HF-RD系統，應定期更新之耗材:
(1) 砂濾機應定期逆時(shí)。
(2)預濾應每1-2個(gè)月(yuè)更新。
(3)膜管應視其去除率及産水(shuǐ)量做(zuò)必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個(gè)月(yuè)更新。
7. 故障排除
現象可(kě)能因素排除方法
系統停機、系統無法激活 1. 外電源異常2. 系統運轉開關未按下(xià)3. 系統電路故障4. 馬達/泵浦故障 1. 檢查系統電源電路2. 按下(xià)系統運轉開關3. 通(tōng)知廠商4. 更新馬達/泵浦
低産水(shuǐ)量 1. 膜管排水(shuǐ)量太高(gāo)2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調整排水(shuǐ)閥V92. 清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1. 樹脂功能下(xià)降2. RO去除率下(xià)降 1. 更換樹脂2. 更換RO膜組
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光(guāng)罩對(duì)準機
使用(yòng)操作方法
曝光(guāng)機簡介
在半導體制程中，塗布光(guāng)阻後的(de)芯片，須經UV紫外光(guāng)照(zhào)射曝光(guāng)顯影(yǐng)，此台曝光(guāng)機爲OAI 200系列，整合光(guāng)罩對(duì)準、UV紫外光(guāng)曝光(guāng)顯影(yǐng)、UV紫外光(guāng)測量裝置及光(guāng)罩夾持裝置。
OAI 200系列爲一入門型光(guāng)罩對(duì)準儀，可(kě)以手動操作更改各項使用(yòng)參數，如曝光(guāng)時(shí)間、曝光(guāng)強度及曝光(guāng)功率等等。對(duì)于中高(gāo)階的(de)線寬有很好的(de)顯影(yǐng)效果，此系列最大(dà)可(kě)使用(yòng)四吋的(de)芯片，最大(dà)的(de)曝光(guāng)功率爲1KW。
曝光(guāng)機使用(yòng)步驟
1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黃(huáng)光(guāng)室的(de)氮氣閥、空氣閥是否有開啓。開啓曝光(guāng)機下(xià)方延長(cháng)線的(de)紅色總開關，再開啓曝光(guāng)機、顯微鏡。
2. 接上隧道式抽風馬達電源，進行曝光(guāng)機抽風步驟，并檢查曝光(guāng)機上方汞燈座後面進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣，則無法開啓汞燈的(de)電源〈會有警報聲〉。确定進風口有進氣後，才可(kě)開啓曝光(guāng)機下(xià)方的(de)汞燈電源供應器ON/OFF開關。
3. 按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鐘(zhōng)，此時(shí)電流值會上升〈代表汞燈點亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點亮。
4. 汞燈點亮後，至少須待機30分(fēn)鐘(zhōng)，使Lightsource系統穩定。假使汞燈無法點亮，請不要作任何修護動作。
5. 待系統穩定後，把電源供應器上的(de)電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開燈使用(yòng)都要登記作爲紀錄。
6. 旋開光(guāng)罩夾具之螺絲，光(guāng)罩之正面〈鍍鉻面〉朝下(xià)，對(duì)準三個(gè)基準點，壓下(xià)【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光(guāng)罩，再鎖好螺絲以固定光(guāng)罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下(xià)時(shí)才能放置光(guāng)罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可(kě)使MASK Holder升起或放下(xià)。
＊ 先用(yòng)氮氣吹光(guāng)罩和(hé)MASK Holder，光(guāng)罩正面朝下(xià)，對(duì)準黑(hēi)邊鐵框，手勿接觸光(guāng)罩，壓下(xià)【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光(guāng)罩，鎖上旁邊兩個(gè)黑(hēi)鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的(de)圓形基座CHUNK是否有比光(guāng)罩低些，防止光(guāng)罩壓破芯片。
7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder上升，放置芯片到CHUNK上，将【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下(xià)【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下(xià)。
8. 扳動台邊鈕(Ball Lock Button)爲Unlock，順時(shí)針方向慢(màn)慢(màn)旋轉旋轉鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可(kě)，然後逆時(shí)針旋轉Z Knob約15格，扳動台邊鈕(Ball Lock Button)爲Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時(shí)針方向旋轉Z knob，會使放置芯片基座下(xià)降，其目的(de)是爲了(le)作對(duì)準時(shí)，讓芯片和(hé)光(guāng)罩有些許的(de)距離，使芯片與光(guāng)罩不會直接摩擦。
＊ 若不須對(duì)準時(shí)，可(kě)以不使用(yòng)逆時(shí)針方向旋轉Z knob。
＊ 旋轉Z knob時(shí)，不論順時(shí)針或逆時(shí)針轉動，當皮帶打滑時(shí)，代表芯片基座已和(hé)光(guāng)罩接觸，此時(shí)不可(kě)逆時(shí)針旋轉，而導緻内部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般爲15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9. 移動顯微鏡座，至光(guāng)罩上方，作芯片與光(guāng)罩的(de)對(duì)準校正。如須調整芯片的(de)位置，可(kě)使用(yòng)芯片基座旁的(de)微調杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光(guāng)機面闆左側如下(xià)圖：
注意：
＊ 曝光(guāng)秒數有兩種設定，一種爲1000SEC，一種爲100SEC。當按下(xià)1000SEC時(shí)，計數器最大(dà)可(kě)設999秒的(de)曝光(guāng)時(shí)間；按下(xià)100SEC時(shí)，計數器最大(dà)可(kě)設99.9秒的(de)曝光(guāng)時(shí)間。
＊ 再設定曝光(guāng)秒數時(shí)要先測量汞燈的(de)亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的(de)按鈕移動基座至曝光(guāng)機左端底，後然将OAI 306 UV POWERMETER放置于CHUNK上即可(kě)，完畢後按RESET，而且可(kě)多(duō)測幾個(gè)不同的(de)位置，觀看汞燈的(de)亮度是否均勻，所測得(de)的(de)單位爲mw/cm2 ，乘時(shí)間(SEC)即變可(kě)mJ的(de)單位。
11. 設定好曝光(guāng)秒數後，即可(kě)進行曝光(guāng)的(de)程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON， 則芯片和(hé)光(guāng)罩之間會産生些許的(de)真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的(de)範圍一般爲紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的(de)按鈕，此時(shí)基座才可(kě)移動，移至曝光(guāng)機左端底，放開按鈕，則曝光(guāng)機會自動進行曝光(guāng)的(de)動作。
13. 曝光(guāng)完成後，即可(kě)将基座移回曝光(guāng)機右端。扳動扳動【N2 PURGE】爲OFF。再扳動【CONTACT VAC.】至OFF，儀器會充氮氣破光(guāng)罩與芯片間的(de)真空，方便使用(yòng)者拿出芯片。
14. 逆時(shí)針旋轉Z knob，降下(xià)芯片基座至最低點。松開光(guāng)罩固定的(de)黑(hēi)邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可(kě)破除MASK Holder的(de)真空，光(guāng)罩即可(kě)取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】爲UP，使MASK Holder升起。扳動【SUB VAC.】爲OFF，使用(yòng)芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】爲DOWN。
16. 如須進行再一次的(de)曝光(guāng)，則可(kě)重複上述步驟。
17. 完成所有的(de)曝光(guāng)程序後，先關掉顯微鏡光(guāng)源産生器，再關掉汞燈電源供應器。〈關燈後一小時(shí)内不可(kě)再開啓汞燈，已延長(cháng)汞燈壽命〉
18. 先關隧道式抽風馬達電源，關掉曝光(guāng)機的(de)開關【SYSTEM ON/OFF】爲OFF，再關掉曝光(guāng)機下(xià)方的(de)延長(cháng)線總開關。待曝光(guāng)機冷(lěng)卻後，最後再關掉牆上氮氣閥及空氣閥。
熱(rè)蒸鍍機
使用(yòng)操作方法
A.開機步驟
1. 開機器背面的(de)總電源開關。
2. 開冷(lěng)卻水(shuǐ)，需先激活D.I Water 系統。
3. 開RP，熱(rè)機2分(fēn)鐘(zhōng)。
4. 開三向閥切至F.V的(de)位置，等2分(fēn)鐘(zhōng)。
5. 開DP，熱(rè)機30分(fēn)鐘(zhōng)(熱(rè)機同時(shí)即可(kě)進行Sample 之清洗與裝載，以節省時(shí)間)。
B.裝載
1. 開Vent，進氣之後立刻關閉。
2. 開Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關Chamber，關門時(shí)務必注意門是否密合，因機器年久失修，通(tōng)常須用(yòng)手壓緊門的(de)右上角。
C.抽真空
1. 初抽
(1) 三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分(fēn)鐘(zhōng)就切換到F.V一下(xià)，以免DP内的(de)幫浦油氣分(fēn)子擴散進入chamber中)。
(2) 真空計VAP-5顯示至5´10-2 torr時(shí)三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
(1) M.V ON，記錄時(shí)間。
(2) ION GAUGE ON，壓下(xià)Fil 點燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下(xià)才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2´10-5 Torr時(shí)，開始加入液态氮。
2. 壓力低于2´10-6 Torr時(shí)，記錄壓力及抽氣時(shí)間并關掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (确定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢(màn)慢(màn)增加。
注意:
＊ 鍍金時(shí)，儀表上電流約100A，鍍Al時(shí)電流可(kě)稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高(gāo)熱(rè)發出紅光(guāng)時(shí)，應立即關閉觀景窗(chuāng)，以免金屬附著(zhe)在觀景窗(chuāng)的(de)玻璃上。
＊ 空鍍幾秒将待鍍金屬表面清幹淨後即可(kě)打開Shutter，開始蒸鍍。
＊ 蒸鍍完成後，立刻關閉Heater Power，等10~15分(fēn)鐘(zhōng)讓BOAT冷(lěng)卻及蒸鍍後的(de)金屬冷(lěng)卻，避免立即和(hé)空氣接觸而氧化(huà)，才可(kě)vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷(lěng)卻30~60分(fēn)鐘(zhōng)。
5. 開Vent(進氣後立刻關閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關Chamber，注意将門關緊。
F.關機
1. 關F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之後關閉。
3. 開F.V，30秒後三向閥切至關閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關總電源。
6. 關冷(lěng)卻水(shuǐ)。
7. 關氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時(shí)，電流應緩慢(màn)增大(dà)，且不可(kě)太大(dà)，以免金屬在瞬間大(dà)量氣化(huà)，使厚度不易控制。
＊ 若接續他(tā)人(rén)使用(yòng)，液态氮可(kě)少灌一點兒(ér)，約三分(fēn)之一筒即可(kě)。
氧化(huà)爐管
使用(yòng)操作方法
氧化(huà)爐管簡介
本實驗室所采用(yòng)之氧化(huà)爐管爲Lenton LTF 1200水(shuǐ)平管狀式爐子，可(kě)放2英吋矽晶圓，加熱(rè)區(qū)大(dà)于50cm，最高(gāo)溫度可(kě)達1200°C并可(kě)連續24hr，最大(dà)操作溫度爲1150°C，溫控方式采用(yòng)PID微電腦(nǎo)自動溫度控制器。
目的(de)
将矽芯片曝露在高(gāo)溫且含氧的(de)環境中一段時(shí)間後，我們可(kě)以在矽芯片的(de)表面生長(cháng)一層與矽的(de)附著(zhe)性良好，且電性符合我們要求的(de)絕緣體-SiO2。
注意:
＊ 在開啓氧化(huà)爐之前，必須先确定【HEAT】Switch設定爲【O】關閉的(de)狀态。Switch在有電源供應時(shí)【l】将會發光(guāng)，而氧化(huà)爐也(yě)将開始加熱(rè)。
＊ 如果過溫保護裝置是好的(de)，請确定警報點的(de)設定于目前的(de)使用(yòng)過程中爲恰當地。如果過熱(rè)保護裝置是好的(de)，蜂嗚器會有聲音(yīn)，在過溫控制操作中有警報一緻的(de)程序。
＊ 爲了(le)改善石英玻璃管或襯套熱(rè)量的(de)碰撞，其加熱(rè)速率最大(dà)不能超過3°C per min。
＊ 爲了(le)減少熱(rè)流失，必須确定正确的(de)操作程序，适當的(de)使用(yòng)絕緣栓和(hé)放射遮蔽可(kě)以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化(huà)爐時(shí)不要在最大(dà)溫度下(xià)關閉氧化(huà)爐，以延長(cháng)氧化(huà)爐的(de)壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發生，并填寫操作記錄。
2. 檢查機台狀态
(1) 控制面闆狀态：使用(yòng)前先确定【HEAT】Switch設定爲【O】關閉的(de)狀态。
(2) 加熱(rè)控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前後段爐溫差£40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 将芯片緩慢(màn)的(de)推入爐管内。
4. 打開牆上H2、O2之開關和(hé)機房(fáng)的(de)氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下(xià)【HEAT】Switch 爲【l】，此時(shí)爐溫将從恒溫(400°C)慢(màn)慢(màn)加熱(rè)至标準制程溫度1100°C，升溫速率最大(dà)不能超過3°C per min。
7. 待爐溫降至恒溫後将芯片取出。
8. 關閉H2、O2 。
9. 關閉爐管後端H2之開關及牆上之開關和(hé)機房(fáng)的(de)氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關機動作。
11. 填寫操作記錄之終了(le)時(shí)間和(hé)異常保護及說明(míng)。
塗布機
使用(yòng)操作方法
1. 首先将PUMP的(de)電源插頭插入塗布機後面的(de)電源插座。
2. 将塗布機的(de)插頭插入110V的(de)電源插座，然後按下(xià)【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的(de)轉速及時(shí)間，本機型爲二段式加速的(de)Spin Coating，右邊爲第一段加速，左邊爲第二段加速。
4. 依不同尺寸的(de)基材，可(kě)更換不同的(de)旋轉轉盤做(zuò)塗布的(de)動作。
5. 按下(xià)【PUMP】鍵，此時(shí)旋轉轉盤會吸住基材，然後将光(guāng)阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢(màn)慢(màn)的(de)往外塗開至适當的(de)量，在做(zuò)光(guāng)阻塗開動作時(shí)可(kě)先用(yòng)氮氣将旋轉轉盤周圍及基材吹幹淨。
6. 蓋上塗布機的(de)保護蓋，以防止光(guāng)阻濺出塗布機外。
7. 按下(xià)【START】鍵，塗布機便開始做(zuò)塗布的(de)動作。
8. 塗布完畢後，打開保護蓋，按下(xià)【PUMP】鍵旋轉轉盤會放開基材，便可(kě)以将基材取出。
熱(rè)風循環烘箱
使用(yòng)操作方法
1. 本機使用(yòng)電壓110V/60HZ。
2. 确認電壓後，将電源線插入110V的(de)插座。
3. 打開【POWER】開關，此時(shí)溫度表PV即顯示箱内實際溫度。
4. 首先按【SET】鍵ÿ ，SV會一直閃爍此時(shí)即可(kě)開始設定溫度，而SV的(de)字幕窗(chuāng)會呈現高(gāo)亮度，在高(gāo)亮度的(de)位置可(kě)設定所需的(de)溫度，隻要再按【SET】鍵ÿ 高(gāo)亮度會随之移動，在高(gāo)亮度的(de)地方即可(kě)設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下(xià)移鍵▼則溫度往下(xià)遞減。
6. 當完成以上設定溫度之後(SV仍閃爍不停)此時(shí)隻要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的(de)溫度(PV顯示實際溫度)。
7. 加熱(rè)燈OUT顯示燈亮時(shí)表示機器正在加熱(rè)中，而到達設定點時(shí)OUT會一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時(shí)表示溫度正自動演算(suàn)中。
9. ALM-1紅色燈亮時(shí)表示溫度過熱(rè)(溫度會自動降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮時(shí)表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
11. 溫度範圍:40℃~210℃。
1. 進入無塵室前，必須知會管理(lǐ)人(rén)，并通(tōng)過基本訓練。
2. 進入無塵室嚴禁吸煙(yān)，吃(chī)(飲)食，外來(lái)雜(zá)物(wù)(如報章(zhāng)，雜(zá)志，鉛筆...等)不可(kě)攜入，并嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進入無塵室前，需在規定之處所脫鞋，将鞋置于鞋櫃内，外衣置于衣櫃内，私人(rén)物(wù)品置于私人(rén)櫃内，櫃内不可(kě)放置食物(wù)。
4. 進入無塵室須先在更衣室，将口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地闆上)方得(de)進入。
5. 戴口罩時(shí)，應将口罩戴在鼻子之上，以将口鼻孔蓋住爲原則，以免呼吸時(shí)污染芯片。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應先整理(lǐ)服裝以及頭發，以免著(zhe)上無塵衣後，不得(de)整理(lǐ)又感不适。
7. 整肅儀容後，先戴無塵帽，無塵帽的(de)穿戴原則系:
(1)頭發必須完全覆蓋在帽内，不得(de)外露。
(2)無塵帽之下(xià)擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣後，方不緻下(xià)擺脫出，裸露肩頸部。
8. 無塵帽戴妥後，再著(zhe)無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不緻有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時(shí)應注意帽之下(xià)擺應保平整之狀态，無塵衣不可(kě)反穿。
9. 穿著無塵衣後，才著(zhe)鞋套，拉上鞋套并将鞋套整平，确實蓋在褲管之上。
10. 戴手套時(shí)應避免以光(guāng)手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套後，應将手套之手腕置于衣袖内，以隔絕污染源。
11. 無塵衣著(zhe)妥後，經洗塵，并踩踏除塵毯，方得(de)進入無塵室。
12. 不論進入或離開無塵室，須按規定在更衣室脫無塵衣，不可(kě)在其它區(qū)域爲之，尤不可(kě)在無塵室内邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時(shí)，應即換新。
14. 脫下(xià)無塵衣時(shí)，其順序與穿著時(shí)相反。
15. 脫下(xià)之無塵衣應吊好，并放于更衣室内上層櫃子中;鞋套應放置于吊好的(de)無塵衣下(xià)方。
16. 更衣室内小櫃中，除了(le)放置無塵衣等規定物(wù)品外，不得(de)放置其它物(wù)品。
17. 除規定紙張及物(wù)品外，其它物(wù)品一概不得(de)攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得(de)攜出無塵室，用(yòng)畢放置于規定處所。
19. 口罩與手套可(kě)視狀況自行保管或重複使用(yòng)。
20. 任何東西進入無塵室，必須用(yòng)灑精擦拭幹淨。
21. 任何設備的(de)進入，請知會管理(lǐ)人(rén)，在無塵室外擦拭幹淨，方可(kě)進入。
22. 未通(tōng)過考核之儀器，禁止使用(yòng)，若遇緊急情況，得(de)依緊急處理(lǐ)步驟作适當處理(lǐ)，例如關閉水(shuǐ)、電、氣體等開關。
23. 無塵室内絕對(duì)不可(kě)動火，以免發生意外。
二、無塵室操作須知
1. 處理(lǐ)芯片時(shí)，必須戴上無纖維手套，使用(yòng)清洗過的(de)幹淨鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的(de)芯片須經清洗，方得(de)繼續使用(yòng)：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用(yòng)紙巾或布擦拭髒鑷子。
(2) 芯片清洗後進行下(xià)一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3) 把芯片放置于石英舟上，準備進爐管時(shí)，若發現所用(yòng)鑷子有污損現象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的(de)污染，必須将芯片重新清洗，并立即更換幹淨的(de)鑷子使用(yòng)。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來(lái)存放于規定位置，盡可(kě)能不讓它暴露。
3. 避免在芯片上談話(huà)，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進擴散爐前，請特别注意，防止上述動作産生，若芯片上沾有纖維屑時(shí)，用(yòng)氮氣槍噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(Quartz Boat)等載具(Carrier)上，取出芯片時(shí)，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭确已離芯片，方可(kě)從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長(cháng)上氧化(huà)層，在送黃(huáng)光(guāng)室前切勿用(yòng)鑽石刀(dāo)在芯片上刻記。
6. 操作時(shí)，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水(shuǐ)槽。
7. 使用(yòng)化(huà)學站或烤箱處理(lǐ)芯片時(shí)，務必将芯片置放于鐵弗龍晶舟内，不可(kě)使用(yòng)塑料盒。
8. 擺置芯片于石英舟時(shí)，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然後再進氧化(huà)爐。
9. 請勿觸摸芯片盒内部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜(zá)碎東西，請勿留置于操作台，手套若燒焦、磨破或纖維質變多(duō)必須換新。
11. 非經指示，絕不可(kě)開啓不熟悉的(de)儀器及各種開關閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的(de)味道或反應異常的(de)溶液，顔色，聲響等請即通(tōng)知相關人(rén)員(yuán)。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時(shí)，務必立刻告知負責人(rén)員(yuán)或老師。
14. 芯片盒進出無塵室須保持幹淨，并以保鮮膜封裝，違者不得(de)進入。
15. 無塵室内一律使用(yòng)原子筆及無塵筆記本做(zuò)記錄，一般紙張與鉛筆不得(de)攜入。
三、黃(huáng)光(guāng)區(qū)操作須知
1. 濕度及溫度會影(yǐng)響對(duì)準工作，在黃(huáng)光(guāng)區(qū)應注意溫度及濕度，并應減少對(duì)準機附近的(de)人(rén)，以減少濕、溫度的(de)變化(huà)。
2. 上妥光(guāng)阻尚未曝光(guāng)完成之芯片，不得(de)攜出黃(huáng)光(guāng)區(qū)以免感光(guāng)。
3. 己上妥光(guāng)阻，而在等待對(duì)準曝光(guāng)之芯片，應放置于不透明(míng)之藍黑(hēi)色晶盒之内， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光(guāng)罩使用(yòng)時(shí)應持取邊緣，不得(de)觸及光(guāng)罩面，任何狀況之下(xià)，光(guāng)罩鉻膜不得(de)與他(tā)物(wù)接觸，以防刮傷，光(guāng)罩之落塵可(kě)以氮氣槍吹之。
5. 曝光(guāng)時(shí)，應避免用(yòng)眼睛直視曝光(guāng)機汞燈。
四、鑷子使用(yòng)須知
1. 進入實驗室後，應先戴上手套後，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用(yòng)幹淨的(de)鑷子，才可(kě)持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可(kě)再使用(yòng)。
3. 鑷子使用(yòng)後，應放于各站規定處，不可(kě)任意放置，如有特殊制程用(yòng)鑷子，使用(yòng)後應自行保管，不可(kě)和(hé)實驗室内各站之鑷子混合使用(yòng)。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時(shí)，順序應由後向前挾取，放回芯片時(shí)，則由前向後放回，以免刮傷芯片表面。
6. 挾取芯片時(shí)，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長(cháng)邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分(fēn)，不可(kě)傷及芯片。
7. 嚴禁将鑷子接觸酸槽或D.I Water水(shuǐ)槽中。
8. 鑷子僅可(kě)做(zuò)爲挾取芯片用(yòng)，不準做(zuò)其它用(yòng)途。
五、化(huà)學藥品使用(yòng)須知
1. 化(huà)學藥品的(de)進出須登記，并知會管理(lǐ)人(rén)，并附上物(wù)質安全資料表（MSDS）于實驗室門口。
2. 使用(yòng)化(huà)學藥品前，請詳讀物(wù)質安全資料表(MSDS)，并告知管理(lǐ)人(rén)。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長(cháng)袖手套，頭戴護鏡，腳著(zhe)塑料防酸鞋，始可(kě)進行換酸工作。
4. 不得(de)任意打開酸瓶的(de)蓋子，使用(yòng)後立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時(shí)，千萬記得(de)加酸于水(shuǐ)，絕不可(kě)加水(shuǐ)于酸。
6. 勿嘗任何化(huà)學藥品或以嗅覺來(lái)确定容器内之藥品。
7. 不明(míng)容器内爲何種藥品時(shí)，切勿搖動或倒置該容器。
8. 所有化(huà)學藥品之作業均須在通(tōng)風良好或排氣之處爲之。
9. 操作各項酸液時(shí)須詳讀各操作規範。
10. 酸類可(kě)與堿類共同存于有抽風設備的(de)儲櫃，但絕不可(kě)與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可(kě)任意傾倒，更不可(kě)與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶内，不可(kě)任意傾倒或倒入廢酸桶内。
13. 勿任意更換容器内溶液。
14. 欲自行攜入之溶液請事先告知經許可(kě)後方可(kě)攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時(shí)，必須經評估後方可(kě)攜入，并請于容器上清楚标明(míng)容器内容物(wù)及保存期限。
15. 廢液處理(lǐ)：廢液分(fēn)酸、堿、氫氟酸、有機、等，分(fēn)開處理(lǐ)并登記，回收桶标示清楚，廢液桶内含氫氟酸等酸堿，絕對(duì)不可(kě)用(yòng)手觸碰。
16. 漏水(shuǐ)或漏酸處理(lǐ)：漏水(shuǐ)或漏酸時(shí)，爲确保安全，絕對(duì)不可(kě)用(yòng)手觸碰，先将電源總開關與相關閥門關閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理(lǐ)之，并報備管理(lǐ)人(rén)。
六、化(huà)學工作站操作
1. 操作時(shí)須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2. 不可(kě)将塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3. 添加任何溶液前，務必事先确認容器内溶劑方可(kě)添加。
4. 在化(huà)學工作站工作時(shí)應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化(huà)學槽及清洗槽之上方，一方面可(kě)防止危險發生，另一方面亦減少污染機會。
5. 化(huà)學站不操作時(shí)，有蓋者應随時(shí)将蓋蓋妥，清洗水(shuǐ)槽之水(shuǐ)開關關上。
6. 化(huà)學藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時(shí)，應即用(yòng)水(shuǐ)沖洗濺傷部位15分(fēn)鐘(zhōng)以 上，且必須皮膚顔色恢複正常爲止，并立刻安排急救處理(lǐ)。
7. 化(huà)學品外洩時(shí)應迅速反應，并做(zuò)适當處理(lǐ)，若有需要撤離時(shí)應依指示撤離。
8. 各化(huà)學工作站上使用(yòng)之橡皮手套，避免觸碰各機台及工作台，及其它器具等物(wù)，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1. DI Water 5min
2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3. DI Water 5min
4. HF:H2O 10~30sec，去自然氧化(huà)層(Native Oxide)
5. DI Water 5min
6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7. DI Water 5min
8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9. DI Water 5min
10. Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水(shuǐ)則先倒水(shuǐ)﹐H2O2最後倒﹐數字比爲體積比。
2. 有機與酸堿絕對(duì)不可(kě)混合﹐操作平台也(yě)務必分(fēn)開使用(yòng)。
3. 酸堿溶液等冷(lěng)卻後倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水(shuǐ)清洗後﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分(fēn)開置于室外回收筒。
5. 氫氟酸會腐蝕骨頭﹐若碰到立即用(yòng)葡萄酸鈣加水(shuǐ)塗抹，再用(yòng)清水(shuǐ)沖洗幹淨，并就醫。碰到其它酸堿則立即以DI Water大(dà)量沖洗。
6. 清洗後之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡易清洗步驟爲1-2-9-10；清洗SiO2步驟爲1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光(guāng)阻步驟爲1-2-10，或浸入ACE中以超音(yīn)波振蕩。
9. 每個(gè)玻璃杯或槽都有特定要裝的(de)溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分(fēn)酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分(fēn)開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物(wù)兼容性表，确定無誤再傾倒。
無塵室系統
使用(yòng)操作方法
1. 首先打開控制器面闆上的(de)【電熱(rè)運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可(kě)由黃(huáng)色鈕調整，一般溫度控制爲20℃ DB ，濕度控制爲50% RH。
＊ 左側的(de)控制器面闆上電壓切換開關爲【RU】，電流切換開關爲【T】。右側的(de)控制器面闆上電壓切換開關爲【RS】，電流切換開關爲【OFF】。
2. 将箱型空氣調節機的(de)送風關關打開，等送風穩定後再将冷(lěng)氣暖氣開關打開，此時(shí)紅色燈會亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷(lěng)氣的(de)起動順序爲壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節爲指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分(fēn)流開關AIR VALVE 爲【ON】。
3. 無塵室使用(yòng)完畢後，要先将箱型空氣調節機關閉，按【停止】鍵即可(kě)。
4. 再将控制器面闆上的(de)【電熱(rè)運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關依序關閉。
氣體鋼瓶
使用(yòng)操作方法
1. 用(yòng)把手逆時(shí)針打開氣體鋼瓶到底，将【OUTLET】打開PURGE關閉。
2. 由黑(hēi)色轉鈕調整氣體鋼瓶的(de)壓力(psi)，順時(shí)針方向爲增加，逆時(shí)針方向爲減少。
3. 将N2鋼瓶調整爲40psi（黃(huáng)光(guāng)室内爲20psi）,AIR鋼瓶調整爲80psi（黃(huáng)光(guāng)室内爲60psi）。
4. 氣體鋼瓶使用(yòng)完畢後，用(yòng)把手順時(shí)針關閉氣體鋼瓶到底，将【OUTLET】關閉【PURGE】打開将管路内的(de)氣體排出後将【PURGE】關閉。
純水(shuǐ)系統
使用(yòng)操作方法
1. 閥門控制
(1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。
(2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關。
(3) 閥門V9、V20爲調壓作用(yòng)，不可(kě)全開或全關。
(4) 閥門中V5爲砂濾機之BY-PASS，V15爲U.V燈之BY-PASS，V18爲DI桶之BY-PASS，V21爲RO膜之BY-PASS。
2. 自動造水(shuǐ)
步驟1：如上【閥門控制】将各球閥門開關定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關保持在【OFF】位置。
步驟3：将控制箱上【系統運轉】開關切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做(zuò)初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水(shuǐ)。
步驟6：此時(shí)，PUMP1、PUMP2依序激活，系統正常造水(shuǐ)，RO産水(shuǐ)經管路進入儲水(shuǐ)桶(TANK)，當水(shuǐ)滿後控制箱上高(gāo)液位指示燈亮，系統自動停機，并于儲水(shuǐ)桶水(shuǐ)位下(xià)降至低液位時(shí)再激活造水(shuǐ)。
3. 系統用(yòng)水(shuǐ)
将控制箱上之【夜間循環-停-用(yòng)水(shuǐ)】切換開關切換至【用(yòng)水(shuǐ)】，此時(shí)PUMP3輸送泵浦激活，TANK内之純水(shuǐ)經幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾後，供現場(chǎng)各使用(yòng)點使用(yòng)。
4. 夜間循環
控制箱上之【夜間循環-停-用(yòng)水(shuǐ)】切換開關，主要在配合每日下(xià)班或連續假日停止供水(shuǐ)後管路之衛生考慮，其步驟爲:
(1) 停止供水(shuǐ)59分(fēn)鐘(zhōng)後，系統再自動供水(shuǐ)1分(fēn)鐘(zhōng)。
(2) 此後每隔59分(fēn)鐘(zhōng)供水(shuǐ)循環1分(fēn)鐘(zhōng)至夜間循環【停】爲止。
5. 系統偵測
本系統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作爲系統運轉之控制，其功能如下(xià):
壓力表1：砂濾機進水(shuǐ)壓力
壓力表2：RO進水(shuǐ)壓力
壓力表3：RO排水(shuǐ)壓力
壓力表4：DI進水(shuǐ)壓力
壓力表5：供水(shuǐ)回流壓
流量計1：RO排水(shuǐ)流量
流量計2：RO産水(shuǐ)流量
另外，控制箱(機房(fáng))附有二段式LED導電度顯示屏，原水(shuǐ)及産水(shuǐ)分(fēn)别切換顯示。
6. 系統維護
HF-RD系統，應定期更新之耗材:
(1) 砂濾機應定期逆時(shí)。
(2)預濾應每1-2個(gè)月(yuè)更新。
(3)膜管應視其去除率及産水(shuǐ)量做(zuò)必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個(gè)月(yuè)更新。
7. 故障排除
現象可(kě)能因素排除方法
系統停機、系統無法激活 1. 外電源異常2. 系統運轉開關未按下(xià)3. 系統電路故障4. 馬達/泵浦故障 1. 檢查系統電源電路2. 按下(xià)系統運轉開關3. 通(tōng)知廠商4. 更新馬達/泵浦
低産水(shuǐ)量 1. 膜管排水(shuǐ)量太高(gāo)2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調整排水(shuǐ)閥V92. 清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1. 樹脂功能下(xià)降2. RO去除率下(xià)降 1. 更換樹脂2. 更換RO膜組
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光(guāng)罩對(duì)準機
使用(yòng)操作方法
曝光(guāng)機簡介
在半導體制程中，塗布光(guāng)阻後的(de)芯片，須經UV紫外光(guāng)照(zhào)射曝光(guāng)顯影(yǐng)，此台曝光(guāng)機爲OAI 200系列，整合光(guāng)罩對(duì)準、UV紫外光(guāng)曝光(guāng)顯影(yǐng)、UV紫外光(guāng)測量裝置及光(guāng)罩夾持裝置。
OAI 200系列爲一入門型光(guāng)罩對(duì)準儀，可(kě)以手動操作更改各項使用(yòng)參數，如曝光(guāng)時(shí)間、曝光(guāng)強度及曝光(guāng)功率等等。對(duì)于中高(gāo)階的(de)線寬有很好的(de)顯影(yǐng)效果，此系列最大(dà)可(kě)使用(yòng)四吋的(de)芯片，最大(dà)的(de)曝光(guāng)功率爲1KW。
曝光(guāng)機使用(yòng)步驟
1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黃(huáng)光(guāng)室的(de)氮氣閥、空氣閥是否有開啓。開啓曝光(guāng)機下(xià)方延長(cháng)線的(de)紅色總開關，再開啓曝光(guāng)機、顯微鏡。
2. 接上隧道式抽風馬達電源，進行曝光(guāng)機抽風步驟，并檢查曝光(guāng)機上方汞燈座後面進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣，則無法開啓汞燈的(de)電源〈會有警報聲〉。确定進風口有進氣後，才可(kě)開啓曝光(guāng)機下(xià)方的(de)汞燈電源供應器ON/OFF開關。
3. 按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鐘(zhōng)，此時(shí)電流值會上升〈代表汞燈點亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點亮。
4. 汞燈點亮後，至少須待機30分(fēn)鐘(zhōng)，使Lightsource系統穩定。假使汞燈無法點亮，請不要作任何修護動作。
5. 待系統穩定後，把電源供應器上的(de)電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開燈使用(yòng)都要登記作爲紀錄。
6. 旋開光(guāng)罩夾具之螺絲，光(guāng)罩之正面〈鍍鉻面〉朝下(xià)，對(duì)準三個(gè)基準點，壓下(xià)【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光(guāng)罩，再鎖好螺絲以固定光(guāng)罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下(xià)時(shí)才能放置光(guāng)罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可(kě)使MASK Holder升起或放下(xià)。
＊ 先用(yòng)氮氣吹光(guāng)罩和(hé)MASK Holder，光(guāng)罩正面朝下(xià)，對(duì)準黑(hēi)邊鐵框，手勿接觸光(guāng)罩，壓下(xià)【MASK VAC.】鍵，使真空吸住光(guāng)罩，鎖上旁邊兩個(gè)黑(hēi)鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的(de)圓形基座CHUNK是否有比光(guāng)罩低些，防止光(guāng)罩壓破芯片。
7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder上升，放置芯片到CHUNK上，将【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下(xià)【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下(xià)。
8. 扳動台邊鈕(Ball Lock Button)爲Unlock，順時(shí)針方向慢(màn)慢(màn)旋轉旋轉鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可(kě)，然後逆時(shí)針旋轉Z Knob約15格，扳動台邊鈕(Ball Lock Button)爲Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時(shí)針方向旋轉Z knob，會使放置芯片基座下(xià)降，其目的(de)是爲了(le)作對(duì)準時(shí)，讓芯片和(hé)光(guāng)罩有些許的(de)距離，使芯片與光(guāng)罩不會直接摩擦。
＊ 若不須對(duì)準時(shí)，可(kě)以不使用(yòng)逆時(shí)針方向旋轉Z knob。
＊ 旋轉Z knob時(shí)，不論順時(shí)針或逆時(shí)針轉動，當皮帶打滑時(shí)，代表芯片基座已和(hé)光(guāng)罩接觸，此時(shí)不可(kě)逆時(shí)針旋轉，而導緻内部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般爲15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9. 移動顯微鏡座，至光(guāng)罩上方，作芯片與光(guāng)罩的(de)對(duì)準校正。如須調整芯片的(de)位置，可(kě)使用(yòng)芯片基座旁的(de)微調杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光(guāng)機面闆左側如下(xià)圖：
注意：
＊ 曝光(guāng)秒數有兩種設定，一種爲1000SEC，一種爲100SEC。當按下(xià)1000SEC時(shí)，計數器最大(dà)可(kě)設999秒的(de)曝光(guāng)時(shí)間；按下(xià)100SEC時(shí)，計數器最大(dà)可(kě)設99.9秒的(de)曝光(guāng)時(shí)間。
＊ 再設定曝光(guāng)秒數時(shí)要先測量汞燈的(de)亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的(de)按鈕移動基座至曝光(guāng)機左端底，後然将OAI 306 UV POWERMETER放置于CHUNK上即可(kě)，完畢後按RESET，而且可(kě)多(duō)測幾個(gè)不同的(de)位置，觀看汞燈的(de)亮度是否均勻，所測得(de)的(de)單位爲mw/cm2 ，乘時(shí)間(SEC)即變可(kě)mJ的(de)單位。
11. 設定好曝光(guāng)秒數後，即可(kě)進行曝光(guāng)的(de)程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON， 則芯片和(hé)光(guāng)罩之間會産生些許的(de)真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的(de)範圍一般爲紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的(de)按鈕，此時(shí)基座才可(kě)移動，移至曝光(guāng)機左端底，放開按鈕，則曝光(guāng)機會自動進行曝光(guāng)的(de)動作。
13. 曝光(guāng)完成後，即可(kě)将基座移回曝光(guāng)機右端。扳動扳動【N2 PURGE】爲OFF。再扳動【CONTACT VAC.】至OFF，儀器會充氮氣破光(guāng)罩與芯片間的(de)真空，方便使用(yòng)者拿出芯片。
14. 逆時(shí)針旋轉Z knob，降下(xià)芯片基座至最低點。松開光(guāng)罩固定的(de)黑(hēi)邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可(kě)破除MASK Holder的(de)真空，光(guāng)罩即可(kě)取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】爲UP，使MASK Holder升起。扳動【SUB VAC.】爲OFF，使用(yòng)芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】爲DOWN。
16. 如須進行再一次的(de)曝光(guāng)，則可(kě)重複上述步驟。
17. 完成所有的(de)曝光(guāng)程序後，先關掉顯微鏡光(guāng)源産生器，再關掉汞燈電源供應器。〈關燈後一小時(shí)内不可(kě)再開啓汞燈，已延長(cháng)汞燈壽命〉
18. 先關隧道式抽風馬達電源，關掉曝光(guāng)機的(de)開關【SYSTEM ON/OFF】爲OFF，再關掉曝光(guāng)機下(xià)方的(de)延長(cháng)線總開關。待曝光(guāng)機冷(lěng)卻後，最後再關掉牆上氮氣閥及空氣閥。
熱(rè)蒸鍍機
使用(yòng)操作方法
A.開機步驟
1. 開機器背面的(de)總電源開關。
2. 開冷(lěng)卻水(shuǐ)，需先激活D.I Water 系統。
3. 開RP，熱(rè)機2分(fēn)鐘(zhōng)。
4. 開三向閥切至F.V的(de)位置，等2分(fēn)鐘(zhōng)。
5. 開DP，熱(rè)機30分(fēn)鐘(zhōng)(熱(rè)機同時(shí)即可(kě)進行Sample 之清洗與裝載，以節省時(shí)間)。
B.裝載
1. 開Vent，進氣之後立刻關閉。
2. 開Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關Chamber，關門時(shí)務必注意門是否密合，因機器年久失修，通(tōng)常須用(yòng)手壓緊門的(de)右上角。
C.抽真空
1. 初抽
(1) 三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分(fēn)鐘(zhōng)就切換到F.V一下(xià)，以免DP内的(de)幫浦油氣分(fēn)子擴散進入chamber中)。
(2) 真空計VAP-5顯示至5´10-2 torr時(shí)三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
(1) M.V ON，記錄時(shí)間。
(2) ION GAUGE ON，壓下(xià)Fil 點燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下(xià)才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2´10-5 Torr時(shí)，開始加入液态氮。
2. 壓力低于2´10-6 Torr時(shí)，記錄壓力及抽氣時(shí)間并關掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (确定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢(màn)慢(màn)增加。
注意:
＊ 鍍金時(shí)，儀表上電流約100A，鍍Al時(shí)電流可(kě)稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高(gāo)熱(rè)發出紅光(guāng)時(shí)，應立即關閉觀景窗(chuāng)，以免金屬附著(zhe)在觀景窗(chuāng)的(de)玻璃上。
＊ 空鍍幾秒将待鍍金屬表面清幹淨後即可(kě)打開Shutter，開始蒸鍍。
＊ 蒸鍍完成後，立刻關閉Heater Power，等10~15分(fēn)鐘(zhōng)讓BOAT冷(lěng)卻及蒸鍍後的(de)金屬冷(lěng)卻，避免立即和(hé)空氣接觸而氧化(huà)，才可(kě)vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷(lěng)卻30~60分(fēn)鐘(zhōng)。
5. 開Vent(進氣後立刻關閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關Chamber，注意将門關緊。
F.關機
1. 關F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之後關閉。
3. 開F.V，30秒後三向閥切至關閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關總電源。
6. 關冷(lěng)卻水(shuǐ)。
7. 關氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時(shí)，電流應緩慢(màn)增大(dà)，且不可(kě)太大(dà)，以免金屬在瞬間大(dà)量氣化(huà)，使厚度不易控制。
＊ 若接續他(tā)人(rén)使用(yòng)，液态氮可(kě)少灌一點兒(ér)，約三分(fēn)之一筒即可(kě)。
氧化(huà)爐管
使用(yòng)操作方法
氧化(huà)爐管簡介
本實驗室所采用(yòng)之氧化(huà)爐管爲Lenton LTF 1200水(shuǐ)平管狀式爐子，可(kě)放2英吋矽晶圓，加熱(rè)區(qū)大(dà)于50cm，最高(gāo)溫度可(kě)達1200°C并可(kě)連續24hr，最大(dà)操作溫度爲1150°C，溫控方式采用(yòng)PID微電腦(nǎo)自動溫度控制器。
目的(de)
将矽芯片曝露在高(gāo)溫且含氧的(de)環境中一段時(shí)間後，我們可(kě)以在矽芯片的(de)表面生長(cháng)一層與矽的(de)附著(zhe)性良好，且電性符合我們要求的(de)絕緣體-SiO2。
注意:
＊ 在開啓氧化(huà)爐之前，必須先确定【HEAT】Switch設定爲【O】關閉的(de)狀态。Switch在有電源供應時(shí)【l】将會發光(guāng)，而氧化(huà)爐也(yě)将開始加熱(rè)。
＊ 如果過溫保護裝置是好的(de)，請确定警報點的(de)設定于目前的(de)使用(yòng)過程中爲恰當地。如果過熱(rè)保護裝置是好的(de)，蜂嗚器會有聲音(yīn)，在過溫控制操作中有警報一緻的(de)程序。
＊ 爲了(le)改善石英玻璃管或襯套熱(rè)量的(de)碰撞，其加熱(rè)速率最大(dà)不能超過3°C per min。
＊ 爲了(le)減少熱(rè)流失，必須确定正确的(de)操作程序，适當的(de)使用(yòng)絕緣栓和(hé)放射遮蔽可(kě)以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化(huà)爐時(shí)不要在最大(dà)溫度下(xià)關閉氧化(huà)爐，以延長(cháng)氧化(huà)爐的(de)壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發生，并填寫操作記錄。
2. 檢查機台狀态
(1) 控制面闆狀态：使用(yòng)前先确定【HEAT】Switch設定爲【O】關閉的(de)狀态。
(2) 加熱(rè)控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前後段爐溫差£40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 将芯片緩慢(màn)的(de)推入爐管内。
4. 打開牆上H2、O2之開關和(hé)機房(fáng)的(de)氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下(xià)【HEAT】Switch 爲【l】，此時(shí)爐溫将從恒溫(400°C)慢(màn)慢(màn)加熱(rè)至标準制程溫度1100°C，升溫速率最大(dà)不能超過3°C per min。
7. 待爐溫降至恒溫後将芯片取出。
8. 關閉H2、O2 。
9. 關閉爐管後端H2之開關及牆上之開關和(hé)機房(fáng)的(de)氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關機動作。
11. 填寫操作記錄之終了(le)時(shí)間和(hé)異常保護及說明(míng)。
塗布機
使用(yòng)操作方法
1. 首先将PUMP的(de)電源插頭插入塗布機後面的(de)電源插座。
2. 将塗布機的(de)插頭插入110V的(de)電源插座，然後按下(xià)【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的(de)轉速及時(shí)間，本機型爲二段式加速的(de)Spin Coating，右邊爲第一段加速，左邊爲第二段加速。
4. 依不同尺寸的(de)基材，可(kě)更換不同的(de)旋轉轉盤做(zuò)塗布的(de)動作。
5. 按下(xià)【PUMP】鍵，此時(shí)旋轉轉盤會吸住基材，然後将光(guāng)阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢(màn)慢(màn)的(de)往外塗開至适當的(de)量，在做(zuò)光(guāng)阻塗開動作時(shí)可(kě)先用(yòng)氮氣将旋轉轉盤周圍及基材吹幹淨。
6. 蓋上塗布機的(de)保護蓋，以防止光(guāng)阻濺出塗布機外。
7. 按下(xià)【START】鍵，塗布機便開始做(zuò)塗布的(de)動作。
8. 塗布完畢後，打開保護蓋，按下(xià)【PUMP】鍵旋轉轉盤會放開基材，便可(kě)以将基材取出。
熱(rè)風循環烘箱
使用(yòng)操作方法
1. 本機使用(yòng)電壓110V/60HZ。
2. 确認電壓後，将電源線插入110V的(de)插座。
3. 打開【POWER】開關，此時(shí)溫度表PV即顯示箱内實際溫度。
4. 首先按【SET】鍵ÿ ，SV會一直閃爍此時(shí)即可(kě)開始設定溫度，而SV的(de)字幕窗(chuāng)會呈現高(gāo)亮度，在高(gāo)亮度的(de)位置可(kě)設定所需的(de)溫度，隻要再按【SET】鍵ÿ 高(gāo)亮度會随之移動，在高(gāo)亮度的(de)地方即可(kě)設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下(xià)移鍵▼則溫度往下(xià)遞減。
6. 當完成以上設定溫度之後(SV仍閃爍不停)此時(shí)隻要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的(de)溫度(PV顯示實際溫度)。
7. 加熱(rè)燈OUT顯示燈亮時(shí)表示機器正在加熱(rè)中，而到達設定點時(shí)OUT會一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時(shí)表示溫度正自動演算(suàn)中。
9. ALM-1紅色燈亮時(shí)表示溫度過熱(rè)(溫度會自動降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮時(shí)表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
11. 溫度範圍:40℃~210℃。